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RW1A013ZPT2R中文资料

RW1A013ZPT2R图片

RW1A013ZPT2R外观图

  • 大小：620KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6
  • 现有数量：0现货
  • 价格：停产
  • 系列：-
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态：停产
  • FET 类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：12 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.5A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：260 毫欧 @ 1.3A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.4 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）：±10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：290 pF @ 6 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：400mW（Ta）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：6-WEMT
  • 封装/外壳：6-SMD，扁平引线

RW1A013ZPT2R供应商

更新时间:2023-01-29 20:58:56
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