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RW1A013ZPT2R中文资料

RW1A013ZPT2R图片

RW1A013ZPT2R外观图

  • 大小:620KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):12 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):260 毫欧 @ 1.3A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):2.4 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值):±10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):290 pF @ 6 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):400mW(Ta)
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:6-WEMT
  • 封装/外壳:6-SMD,扁平引线

RW1A013ZPT2R供应商

更新时间:2023-01-29 20:58:56
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